원더리는 진공 가스 니티르딩 노 열처리 여분을 특화했습니다
1.이온 질화 프로세스의 특성 :
이온 질 화법은 화학적 열처리 프로세스입니다. 저진공 질소를 함유한 공기에서, 음극으로서 치료되기 위한 음극과 제조 공정에 있는 제품으로서 노몸체와 함께, 수 백의 볼트의 직류전압은 과정에 의해 생산된 이온질화를 만들기 위해 음극과 음극 사이에 적용됩니다. 이온 질 화법은 이온 질 화법, 이온질화, 이온 충돌 질화, 플라스마 질화반응, 기타 등등과 같은 많은 이름을 있습니다. 이 이온 질화 프로세스를 수행하는 장비는 플라스마 질화로, 열처리 질화로 또는 플라즈마 이온 질화로로 불립니다.
2.이온 질 화법의 기술적 특성이 무엇입니까?
2.1 이온 질 화법 기술의 고유 특성은 이온 충돌, 말 많은 세정과 플라스마 활성입니다. 이온 활성은 고품질 질화층의 형성을 위한 기본적 개런티이고 활성화 확산이 이온 질 화법의 전체 과정을 통과합니다. 이온은 활성 이온을 생산하기 위해 NH3, N2와 H2 원자를 활성화하고 분해합니다. 동시에, 가공품 표면의 이온 활성은 활성화된 표면 위의 질화물 층을 형성하기 위해 활성화된 표면을 반응하는 수많은 마이크로 디펙트와 활성화된 표면을 생산합니다. 그러므로, 이온 활성 조건을 제어하고 조정하는 것은 매우 중요합니다. 그것은 있습니다 이온 질 화법 노의 개발과 개선을 위해 충격 난방, 말 많은 반응과 글로우 방전의 활성 효과를 연구하기 위한 큰 중요성의.
2.2 이온 질 화법 노에 의해 형성된 화합물층의 과정을 연구했고, 화합물층 형성의 메커니즘이 다르기 때문에, 이온 질 화법과 기체 질화에 의해 생산된 화합물층의 위상 구조가 다르다는 것을 우리는 알았습니다. 38CrMoAl 강철의 이온 질 화법 화합물층이 표면적으로 약 25 단계로 단계 주로 단계로 구성되는 반면에, 기체 질화 화합물층은 단계로 구성되고 표면이 단계를 포함하지 않습니다. 만약 샘플이 사전에 4H를 위한 아르곤 이온 스퍼터링에 의해 활성화되고 그리고 나서 이온 질화가 5506h에 실행되면, 표면 위상이 55에서부터 45까지 감소되고, 표면 위상이 25에서부터 42까지 증가되고, 단계가 20에서부터 13까지 감소됩니다. 이온 스퍼터링에 의해 활성화된 표본이 표면 화합물층에서 위상수를 증가시키고, 질화 동안 단계의 형성을 감소시킨다는 것을 알 수 있습니다.
3.기술적인 매개 변수
| 모델 | WDL30A | WDL50A | WDL75A | WDL100A | WDL150A | WDL300A |
| 부하 용량 (킬로그램) | 300 | 600 | 1000 | 1500 | 2500 | 4000 |
| 일부는 지역을 포장합니다 | 3.0m2 | 5.0m2 | 7.5m2 | 10.0m2 | 15.0m2 | 20.0m2 |
| 효과적 워킹 사이즈 |
600*800mm (Dia*height) |
700*1000mm (Dia*height) |
1000*1200mm (Dia*height) |
1200*1400mm (Dia*height) |
1400*1600mm (Dia*height) |
1600*2000mm (Dia*height) |
| 작동 온도 | 650C | |||||
| 진공도 | ≤ 6.67 pa | |||||
| 압력 상승률 | ≤ 0.133 pa / 분 | |||||
| 기구의 온도 제어 정확도 | ±1C | |||||
